Скачать .docx |
Реферат: Расчетно-Графическая работа ППД КД213А
Министерство высшего образования РФ.
Уральский государственный университет – УПИ
Кафедра “Технология и средства связи”
Расчетно-графическая работа
Полупроводниковый диод
«КД213А »
Преподаватель: Болтаев А.В.
Студент: Черепанов К.А.
Группа: Р-207
Екатеринбург
2000
Аннотация
В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных температурах, расчетные соотношения R= , r~ , C; расчитываются TKUпр , TKIобр (температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода.
Содержание
1. Краткая характеристика диода............................................ 4
2. Паспортные параметры:....................................................... 4
2.1. Электрические.......................................................... 4
2.2. Предельные эксплуатационные............................... 4
3. Вольт-амперная характеристика.......................................... 5
3.1. При комнатной температуре.................................... 5
3.2. При повышенной...................................................... 6
4. Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С 6
5. Определение величины TKUпрям TKIобр.......................... 6
6. Определение сопротивления базы rб................................... 9
6.1. Приближенное.......................................................... 9
6.2. Точное....................................................................... 9
7. Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема.. 10
8. Библиографический список................................................ 10
9. Затраты времени на:........................................................... 10
9.1. Информационный поиск........................................ 10
9.2. Расчеты................................................................... 10
9.3. Оформление............................................................ 10
Краткая характеристика диода
Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.
Масса диода не более 4 г.
КД213А [1]
Рисунок 1
Паспортные параметры:
Электрические
Постоянное прямое напряжение при I пр=10А, не более:
Т=+25°С………………………………………………………...………………………………1В
Постоянный обратный ток при, не более:
Т=+25°С………………………………………………………...…………………………0,2мА
Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А:
КД213А…………………………………………………………...………………………300нс
Емкость диода, не более:
при Uобр=100 В………………………………………...……………………550 пФ
при Uобр=5 В………………………………………...……………………..1600 пФ
Предельные эксплуатационные
Постоянное (импульсное) обратное напряжение……………………..………200В
Постоянный (средний) прямой ток при RТ(П-С)≤ 1,5°С/Вт ……..…..………10А
Импульсный прямой ток при tи≤ 10мс, Q≥1000………………...…………100А
Импульсный обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при tи≤ 20мкс,………………...……………………………………………………………………..10А
Частота без снижения электрических режимов……………………………100кГц
Тепловое сопротивление
переход-среда: ……………………………….………………………………70К/Вт
переход-корпус: ……………………………….……………………………1,5К/Вт
Температура перехода: ……………………………………………………...+140°С
Температура окружающей среды: ……………………………………….-60°С…+85°С
Общая таблица параметров
Предельные значения параметров при Т=25˚С |
Tk max (Tпмах) [Тмах]˚С |
Значения параметров при Т= 25˚С |
R т п-к, ˚С/Вт |
|||||||||||
I пр, ср max А |
Uобр, и, п мах, В |
Uобр мах, В |
Iпрг (Iпр, уд)мах, А |
fмах, кГц |
Uпр (Uпр, ср) [Uпр, и], В |
tвос, обр (tвос, обр при Tп мах), мкс |
I обр(I обр, ср) [I обр, и, п, при Т п мах], мА |
|||||||
Т˚С |
tи(tпр), мс |
Iпр (Iпр, ср) [Iпр, и], А |
Iпр, и, А |
Uпр, и, В |
||||||||||
10 |
85 |
200 |
200 |
100 |
10 |
100 |
140 |
1 |
10 |
0,3 |
1 |
20 |
0,2 |
1,5 |
Вольт-амперная характеристика
При комнатной температуре
При повышенной
Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25 °С
Зависимость R= от Uпр |
||||||||
Uпр |
0,6 |
0,7 |
0,8 |
0,9 |
1 |
1,1 |
||
|
0,3 |
0,2333333 |
0,16 |
0,1125 |
0,090909 |
0,073333 |
Зависимость r~ от Uпр |
|||||||
Uпр |
0,1 |
0,2 |
0,3 |
0,4 |
0,5 |
||
r~ |
0,1 |
0,0666667 |
0,05 |
0,044444 |
0,038462 |
Зависимость R= от Uобр |
||||||||
Uобр |
50 |
100 |
150 |
200 |
250 |
300 |
||
|
3571429 |
6666666,7 |
8333333 |
4878049 |
2777778 |
1304348 |
Зависимость r~ от Uобр |
|||||||
|
50 |
100 |
150 |
200 |
250 |
||
r~ |
50000000 |
25000000 |
5555556 |
2631579 |
1157407 |
Зависимость Cдиф от Uпр |
|||||||||
Uпр |
0,6 |
0,7 |
0,8 |
0,9 |
1 |
1,1 |
|||
Сдиф |
0,08 |
0,12 |
0,2 |
0,32 |
0,44 |
0,6 |
Зависимост Сб от Uобр
Определение величины TKUпрям TKIобр
Определение сопротивления базы r б
Приближенное
Точное
Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема
Библиографический список
1. Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник. В 3-х томах. /Хрулев А.К., Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с.
2. Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М., Егорова Р.В. и др.; под ред. И.Ф. Николаевского.—М.: Связь , 1979.– 432 с., ил.
3. Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев.—М.: Радио и связь, 1990.—336 с.: ил.– (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1158)
4. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н.Н. Горюнова.–М.: Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил.
5. Лекции по курсу «Физические Основы МикроЭлектронники»/ Черепанов К.А- под ред. Болтаев А.В. 2000.-50л.
Затраты времени на:
a) Информационный поиск -72 часf
b) Расчеты -1час (67 мин.)
c) Оформление - 6 часов (357мин.)
[1] Зарубежный аналог КД213А - 1N1622 производства Sarkez Tarzian, США