Главная / Рефераты / Коммуникации и связь

Курсовая работа: Расчет и проектирование диода на основе кремния

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ. 2

1ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ.. 4

1.1Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. 6

1.2Параметры полупроводниковых диодов. 8

1.3Силовые полупроводниковые выпрямительные диоды.. 10

1.5Низкочастотные параметры диода. 19

2РАСЧЕТ и исследование мощных низкочастотных диодов на основе кремния.. 22

2.1Расчет параметров диода. 22

2.2Расчет вольтамперных характеристик при малых плотностях тока. 22

2.3Модуляция базы при высоких уровнях инжекции. 24

2.4Время жизни ННЗ: включение диодов и спад послеинжекционной эдс. 25

2.4Особенности переходных характеристик диодов с р-базой. 27

2.6Расчет ВАХ при высоких плотностях прямого тока: влияние электронно-дырочного рассеяния. 28

2.7Методы производства диодов. 29

ЗАКЛЮЧЕНИЕ. 32

ВЫВОДЫ.. 33

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ.. 34

ВВЕДЕНИЕ

Силовая электроника первоначально возникла как область техники, связанная преимущественно с преобразованием различных видов электроэнергии на основе использования электронных приборов. В дальнейшем достижения в области полупроводниковых технологий позволили значительно расширить функциональные возможности, силовых электронных устройств и соответственно области их применения.

Однако, несмотря на интенсивное расширение функций аппаратов силовой электроники и областей их применения основные научно-технические проблемы и задачи, решаемые в области силовой электроники, связаны с. преобразованием электрической энергии.

Электроэнергия используется в разных формах: в виде переменного тока с частотой 50 Гц (за исключением США и некоторых других стран, где за основную принята частота 60 Гц) в виде постоянного тока (свыше 20% всей вырабатываемой электроэнергии), а также переменного тока повышенной частоты или токов специальной формы (например, импульсной и др.). Это различие в основном обусловлено многообразием и спецификой потребителей, а в ряде случаев (например, в системах автономного электроснабжения) и первичных источников электроэнергии.

Разнообразие в видах потребляемой и вырабатываемой электроэнергии вызывает необходимость ее преобразования. Основными видами преобразования электроэнергии являются:

1) выпрямление (преобразование переменного тока в постоянный);

2) инвертирование (преобразование постоянного тока в переменный);

3) преобразование частоты (преобразование переменного тока одной частоты в переменный ток другой частоты).

Существует также ряд других, менее распространенных видов преобразования: формы кривой тока, числа фаз и др. В отдельных случаях используется комбинация нескольких видов преобразования. Кроме того, электроэнергия может преобразовываться с целью улучшения качества ее параметров, например для стабилизации напряжения или частоты переменного тока. i

Основными элементами силовой электроники, ставшими базой для создания статических преобразователей, явились полупроводниковые приборы. Проводимость большинства полупроводниковых приборов в существенной мере зависит от направления электрического тока: в прямом направлении их проводимость велика, в обратном – мала (т. е. полупроводниковый прибор имеет два явно выраженных состояния: открытое и закрытое). Полупроводниковые приборы бывают неуправляемыми и управляемыми. В последних можно управлять моментом наступления их высокой проводимости (включением) посредством управляющих импульсов малой мощности. Первыми отечественными работами, посвященными исследованию полупроводниковых приборов и их использованию для преобразования электроэнергии были работы академиков В. Ф. Миткевича, Н. Д. Папелекси и др.

1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Полупроводниковый диод – это полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом и двумя выводами, в котором используется то или иное свойство электрического перехода.

В качестве выпрямляющего электрического перехода в полупроводниковых диодах может быть электронно-дырочный переход, гетеропереход или выпрямляющий переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником (переход Шотки).

В диоде с p-n переходом или с гетеропереходом кроме выпрямляющего перехода должно быть два омических перехода, через которые p- и n-области диода соединены выводами (рис. 1.1,а). В диоде с выпрямляющим электрическим переходом в виде контакта между металлом и полупроводником всего один омический переход (рис. 1.1,б).

Рисунок 1.1 - Структура полупроводниковых диодов:

а) с выпрямляющим электрическим переходом в виде p-n перехода;

б) с выпрямляющим электрическим переходом на контакте между металлом и полупроводником;

В - выпрямляющие электрические переходы;

Н – невыпрямляющие (омические) переходы.

Обычно полупроводниковые диоды имеют несимметричные p-n переходы. Поэтому при полярности внешнего напряжения, при которой происходит понижение потенциального барьера в p-n переходе, то есть при прямом направлении для p-n перехода, количество носителей заряда, инжектированных из сильнолегированной в слаболегированной область, значительно больше, чем количество носителей, проходящих в противоположном направлении. Область полупроводникового диода, в которую происходит инжекция неосновных для этой области носителей заряда, называют базой диода. Следовательно, в диоде базовой областью является слаболегированная область [4].

Если к диоду с несимметричным p-n переходом приложено напряжение, при котором происходит повышение потенциального барьера в p-n переходе, то есть в обратном направлении для p-n перехода, то экстракция неосновных носителей заряда будет происходить в основном из базы диода. Таким образом, база диода может оказывать существенное влияние на характеристики и параметры диода.

В зависимости от соотношения линейных размеров выпрямляющего электрического перехода и характеристической длины различают плоскостные и точечные диоды. Характеристической длиной для диода является наименьшая по значению из двух величин, определяющая свойства и характеристики диода: диффузионная длина неосновных носителей заряда в базе или толщина базы.

Плоскостным называют диод, у которого линейные размеры, определяющие площадь выпрямляющего электрического перехода, значительно больше характеристической длины.

Точечным называют диод, у которого линейные размеры, определяющие площадь выпрямляющего электрического перехода, значительно меньше характеристической длины.

В выпрямляющем электрическом переходе и прилегающих к нему областях происходят разнообразные физические процессы, которые могут приводить к эффекту выпрямления, к нелинейному росту тока с увеличением напряжения, к лавинному размножению носителей заряда при ударной ионизации атомов полупроводника, к туннелированию носителей сквозь потенциальный барьер выпрямляющего p-n перехода как при обратном, так в определенных условиях и при прямом напряжении, к изменению барьерной емкости с изменением напряжения, к эффекту накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в прилегающих к выпрямляющему переходу областях. Все эти эффекты используют для создания различных видов полупроводниковых диодов: выпрямительных, смесительных, переключательных и детекторных, диодов с резким восстановлением обратного сопротивления, стабилитронов, стабисторов, шумовых, лавинно – пролетных, туннельных и обращенных диодов, варикапов. Некоторые из перечисленных эффектов являются нежелательными и даже вредными в одних диодах, но в других диодах эти, же эффекты могут служить основой принципа действия [4].

1.1 Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов

Полупроводниковые диоды подразделяются на группы по многим признакам. Бывают диоды из различных полупроводниковых материалов, предназначенные для низких или высоких частот, для выполнения различных функций и отличающиеся друг от друга по конструкции.

Полупроводниковым диодом называется устройство, состоящее из кристалла полупроводника, содержащее обычно один p-n переход и имеющее два вывода.

Классификация диодов производится по следующим признакам:

1) По конструкции:

- плоскостные диоды;

- точечные диоды;

- микросплавные диоды.

2) По мощности:

- маломощные;

- средней мощности;

- мощные.

3) По частоте:

- низкочастотные;

- высокочастотные;

- СВЧ.

4) По функциональному назначению:

- выпрямительные диоды;

- импульсные диоды;

- стабилитроны;

- варикапы;

- светодиоды;

- тоннельные диоды и так далее.

У точечных диодов линейные размеры, определяющие площадь n - перехода, такие же, как толщина перехода, или меньше ее. У плоскостных диодов эти размеры значительно больше толщины перехода.

Точечные диоды имеют малую емкость n - перехода (обычно менее 1 пФ) и поэтому применяются на любых частотах вплоть до СВЧ. Но они могут пропускать токи не более единиц или десятков миллиампер. Плоскостные диоды в зависимости от площади перехода обладают емкостью в десятки пикофарад. Поэтому их применяют на частотах не выше десятков килогерц. Допустимый ток в плоскостных диодах бывает от десятков миллиампер до сотен ампер.

Основой точечных и плоскостных диодов являются пластинки полупроводника, вырезанные из монокристалла, имеющего во всем своем объеме правильное кристаллическое строение. В качестве полупроводниковых веществ для точечных и плоскостных диодов применяют чаще всего германий и кремний, а в последнее время также арсенид галлия (GaAs) и другие соединения.

Рисунок 1.2. - Принцип устройства точечного диода

Принцип устройства точечного диода показан на рис. 1.2. Тонкая заостренная проволочка (игла) с нанесенной на нее примесью приваривается при помощи импульса тока к пластинке полупроводника с определенным типом электропроводности. При этом из иглы в основной полупроводник диффундируют примеси, которые создают область с другим типом электропроводности. Этот процесс называется формовкой диода. Таким образом, около иглы образуется миниатюрный n-р-переход полусферической формы. Следовательно, разница между точечными и плоскостными диодами заключается в площади n - перехода [6] .

1.2 Параметры полупроводниковых диодов

Рабочий интервал температур.

При повышении температуры растет собственная электропроводность проводника (увеличивается генерация пар носителей заряда электрон-дырка), растет ток насыщения и растет вероятность пробоя p-n перехода.

Максимально допустимая температура перехода тем больше, чем шире запрещенная зона полупроводника. Так для германиевых диодов допустимый интервал температур окружающей среды лежит в пределах , а для кремниевых в пределах . При понижении температуры увеличивается сопротивление диода как прямое, так и обратное, а также появляется вероятность механических повреждений кристалла из-за увеличивающейся хрупкости.

Допустимое обратное напряжение

Обычно за допустимое обратное напряжение принимается величина:

где - напряжение, при котором возникает пробой p-n перехода.

Значение зависит от температуры и от удельного сопротивления полупроводника . Последнее объясняется тем, что напряженность поля p-n перехода, а значит и напряжение пробоя зависят от ширины перехода, которая в свою очередь зависит от концентрации примесей, т.е. от удельного сопротивления полупроводника. Так как p-n переход тем шире, чем больше удельное сопротивление полупроводника, то и будет тем больше, чем больше удельное сопротивление исходного материала.

Если требуется получить большое выпрямленное напряжение, при котором к диоду будет приложено обратное напряжение большее, чем допустимое, применяют последовательное включение диодов. Так как величины обратных сопротивлений диодов не одинаковы, то обратные напряжения при последовательном включении распределяются между диодами неравномерно и диод, имеющий большее обратное сопротивление, может быть пробит. Во избежание этого каждый из последовательно включенных диодов шунтируют сопротивлением такой величины, чтобы распределение напряжений на диодах в основном определялось этими сопротивлениями.

Допустимый выпрямленный ток

Так как при протекании тока возрастает температура перехода, то величина допустимого тока ограничивается допустимой температурой перехода. Для того, чтобы получить выпрямленный ток больше допустимой величины, можно включить несколько диодов параллельно. Так как диоды обладают разным прямым сопротивлением, то токи распределяются равномерно и может оказаться, что ток, протекающий через диод с наименьшим сопротивлением, превысит допустимое значение. Во избежание этого последовательно с каждым из диодов включается сопротивление.

Предельно допустимая мощность рассеивания .

Предельно допустимая мощность рассеивания зависит от конструкции диода, так и от температуры окружающей среды, т.е. от условий охлаждения.

Очевидно, что рабочие режимы в схемах надо выбирать так, чтобы:

где I - ток, протекающий через диод,

U - напряжение, приложенное к диоду.

1.3 Силовые полупроводниковые выпрямительные диоды

Силовой (мощные) полупроводниковый выпрямительный диод (далее просто диод) представляет собой полупроводниковую структуру, состоящую из двух граничащих между собой слоев полупроводника дырочного р- и электронного n-типов, образующих один электронно-дырочный переход (рис. 1.3). Стороны слоев полупроводниковой структуры, противоположные сторонам, образующим р-n-переход, соединены с металлическими контактами, образующими внешние контактные выводы диода. Вывод, соединенный с р-слоем структуры, называется анодным выводом диода А, а вывод, соединенный с n-слоем структуры, катодным выводом диода К. На этом же рисунке приведено символическое изображение диода.

Рисунок 1.3. - Структура (а, б) и обозначение (в) силового диода

Выпрямительные диоды применяются для преобразования переменного тока низкой частоты (до 50кГц) в ток одного направления (выпрямление переменного тока). Обычно рабочие частоты выпрямительных ПД малой и средней мощности не превышают 20 кГц, а диодов большой мощности - 50 Гц.

Возможность применения p-n перехода для целей выпрямления обусловлено его свойством проводить ток в одном направлении (ток насыщения очень мал).

В связи с применением выпрямительных диодов к их характеристикам и параметрам предъявляются следующие требования:

а) малый обратный ток ;

б) большое обратное напряжение;

в) большой прямой ток;

г) малое падение напряжения при протекании прямого тока.

Для того чтобы обеспечить эти требования, выпрямительные диоды выполняются из полупроводниковых материалов с большой шириной запрещенной зоны, что уменьшает обратный ток, и большим удельным сопротивлением, что увеличивает допустимое обратное напряжение. Для получения в прямом направлении больших токов и малых падений напряжения следует увеличивать площадь p-n перехода и уменьшать толщину базы.

Выпрямительные диоды изготавливаются из германия (Ge) и кремния (Si) с большим удельным сопротивлением, причем Si является наиболее перспективным материалом.

Кремниевые диоды, в результате того, что Si имеет большую ширину запрещенной зоны [1] , имеют во много раз меньшие обратные токи, но большее прямое падение напряжения, т.е. при равной мощности, отдаваемой в нагрузку, потеря энергии у кремниевых диодов будет больше. Кремниевые диоды имеют большие обратные напряжения и большие плотности тока в прямом направлении.

Зависимость вольтамперной характеристики кремниевого диода от температуры показана на рис.2.2.

Рисунок 1.4 - Вольтамперная характеристика полупроводникового диода

Из рисунка 1.4 следует, что ход прямой ветви вольтамперных характеристик при изменении температуры изменяется незначительно. Это объясняется тем, что концентрация основных носителей заряда при изменении температуры практически почти не изменяется, т.к. примесные атомы ионизированы уже при комнатной температуре.

Количество неосновных носителей заряда определяется температурой и поэтому ход обратной ветви вольтамперной характеристики сильно зависит от температуры, причем эта зависимость резко выражена для германиевых диодов. Величина напряжения пробоя тоже зависит от температуры. Эта зависимость определяется видом пробоя p-n перехода. При электрическом пробое за счет ударной ионизации возрастает при повышении температуры. Это объясняется тем, что при повышении температуры увеличиваются тепловые колебания решетки, уменьшается длина свободного пробега носителей заряда и для того, чтобы носитель заряда приобрел энергию достаточную для ионизации валентных связей, надо повысить напряженность поля, т.е. увеличить приложенное к p-n переходу обратное напряжение. При тепловом пробое при повышении температуры уменьшается.

В некотором интервале температур для германиевых диодов пробой чаще всего бывает тепловым (ширина запрещенной зоны Ge невелика), а для кремниевых диодов - электрическим. Это определяет значения при заданной температуре. При комнатной температуре значения для германиевых диодов обычно не превышают 400В, а для кремниевых - 1500В.

В зависимости от полярности приложенного к внешним выводам диода напряжения он может находиться в одном из двух устойчивых состояний: непроводящем состоянии (р-n переход смещен в обратном направлении) и проводящем состоянии (р-n переход смещен в прямом направлении), при условии, что значения приложенного напряжения и протекающего тока будут находиться в допустимых пределах. При изменении полярности напряжения, приложенного к внешним выводам, диод может находиться в динамическом состоянии выключения (смещение р-n перехода изменяется с прямого на обратное) и в динамическом состоянии включения (смещение р-n перехода меняется с обратного на прямое). Реальный силовой диод имеет структуру, показанную на рис. 2.1, б. Рассмотрим (упрощенно) процессы, происходящие в диоде при различной полярности приложенного к нему напряжения.

Непроводящее состояние силового диода. Под воздействием обратного напряжения U_R в диоде происходит расширение ООЗ (области объемного заряда), которое продолжается до тех пор, пока падение напряжения в ООЗ не станет равным U_R , при этом особенность силовых диодов такова, что расширение ООЗ происходит в основном в сторону низкоомной n-области, называемой базой диода. В связи с тем что ширина ООЗ w_sc связана с величиной UR известным соотношением [5]

w_sc =0,52√pU_R , (1.1)

где w_sc выражена в микрометрах, р - удельное сопротивление материала n-базы дано в омах на сантиметр и UR-в вольтах, становится ясно, что чем более высоковольтным является диод, тем толще он должен быть. Существует ряд факторов, ограничивающих максимально возможное обратное напряжение, которое может быть приложено к диоду. Одним из важнейших для силовых диодов оказывается явление лавинного пробоя. Суть его состоит в следующем. По мере увеличения прикладываемого к диоду напряжения растет не только ширина ООЗ, но и максимальное электрическое поле внутри этой области. Когда напряженность этого поля начинает превосходить некоторые критические значения (обычно лежащие в диапазоне (0,5-1)·10⁵ В/см), возникает лавинное умножение носителей. (Физически этот процесс обусловлен тем, что энергия, приобретаемая подвижным носителем заряда под действием поля за время свободного пробега, становится достаточной для генерации электронно-дырочной пары. В свою очередь, возникшие электрон и дырка вновь разгоняются и рождают ещё по паре носителей и т. д.) В результате лавинного умножения ток через диод лавинообразно нарастает. Обычно явление лавинного умножения описывают, вводя коэффициенты размножения дырок М_р и электронов М_n , определяемые по довольно сложным формулам [6].

Другими важными факторами, ограничивающими напряжение, которое может быть приложено к диоду, являются процессы, происходящие на его поверхности. Дело в том, что, если не принимать специальных мер, пробой вблизи поверхности полупроводника наступает значительно раньше, чем в его объеме. Чтобы избежать этого, силовые диоды имеют специальный профиль поверхности - фаску (рис. 1.5), которая позволяет избежать наступления поверхностного пробоя.

Рисунок 1.5 - Геометрия реального высоковольтного диода

Ток через диод I_R к которому приложено обратное напряжение, складывается в общем случае из трех компонент: диффузионного тока I_d , тока генерации в ООЗ I_sc и тока поверхностной утечки I_s :

I_R = I_d +I_sc +I_s .

Каждая из компонент I_R по-разному зависит от таких внешних факторов, как напряжение и температура. Кроме того, если для диффузионного и генерационного токов их теоретические зависимости от температуры и напряжения известны [9], то построить такую зависимость для поверхностного тока пока не удалось. Среди причин этого следует указать на тот факт, что в ток I_s входят токи утечек через неконтролируемые примеси на поверхности диода. К этому следует добавить, что все теоретические формулы позволяют рассчитать плотности соответствующих токов, однако для расчета полного тока надо еще знать площадь, через которую соответствующий ток протекает. К сожалению, эта величина обычно не известна, так как есть веские основания считать, что ток IR может протекать не по всей площади диода. Все это приводит к тому, что ток IR рассматривают обычно как сугубо экспериментальную характеристику диода. Его температурную зависимость чаще всего аппроксимируют выражением [2]

I_R (T)=I_R (T0)ехр[а(T-T₀ )], (1.2)

где IR(T)-ток IR при температуре полупроводника, равной Т; а коэффициент, лежащий в диапазоне 0,03-0,08 К-1.

В отличие от вольтамперной характеристики (ВАХ), показанной на рис. 1.4, в реальных высоковольтных диодах часто не наблюдают резкого излома ВАХ, т. е. зависимость тока от напряжения. ВАХ такого вида называют «мягкой» характеристикой.

Проводящее состояние силового диода.

Под воздействием прямого напряжения потенциальный барьер уменьшается, в результате чего концентрация неосновных носителей у границ р-n перехода (дырок в n-области и электронов в р-области) экспоненциально возрастает. Это явление называют инжекцией неосновных носителей заряда. Инжектированные носители начинают диффундировать в глубь полупроводника возникает ток через диод. Приборы имеют толстую базу, падение потенциала на которой приводит к весьма сложной связи между плотностью прямого тока через диод и падением напряжения U_F на нем [4]. Нам достаточно отметить следующее.

Самой распространенной практической аппроксимацией ВАХ диода в прямом направлении является линейная аппроксимация [4]

U_F =U_FO + r_F I_F , (1.3)

где U_FO -nороговое напряжение диода; r_F -дифференциальное прямое сопротивление диода.

Cтепенная аппроксимация ВАХ, которая в некоторых случаях может оказаться более близкой к экспериментальным данным:

U=KI^N _F , (1.4)

где К и N-константы. Значения N в случае использования аппроксимации лежат в диапазоне 0,3-0,8. На рис. 1.6 приведены реальная ВАХ тиристора типа Т173-1250 и ее линейная и степенная аппроксимации.

Рисунок 1.6 - Вольт-амперная характеристика тиристора типа Т173-1250 в открытом состоянии и ее линейная (–·–·–) и степенная (------) аппроксимации: U_т = 0,119i^0,32

С ростом температуры прямое падение напряжения, как правило, увеличивается. Эту зависимость обычно получают из эксперимента, так как корректная теоретическая модель температурной зависимости прямого падения напряжения в настоящее время отсутствует.

Важным для понимания работы диода является то, что при больших плотностях тока в его слоях происходит накопление подвижных носителей заряда. Явление накопления заряда, как показано далее, существенно влияет на процесс выключения силового диода, при этом основное влияние на характеристики диода оказывает накопленный в n-базе заряд дырок: Q_p . Это обусловлено относительно большей инжекцией из более сильнолегированного р-слоя, меньшей подвижностью дырок по сравнению с электронами, большей толщиной n-слоя и большим временем жизни дырок в нем.

Накопленный заряд Q зависит от прямого тока через диод и в стационарных условиях остается постоянным, так как процесс инжекции неосновных носителей заряда уравновешивается процессом их рекомбинации.

Переходный процесс включения силового полупроводникового диода. Под процессом включения диода понимается динамический процесс перехода диода из непроводящего состояния в проводящее.

При изменении полярности напряжения источника с обратной на прямую из-за инжекции неосновных носителей заряда электропроводность полупроводниковой структуры диода резко увеличивается и через него начинает протекать прямой ток I_F . Физические процессы в самом диоде могут оказывать влияние на процесс нарастания прямого тока только при временах до нескольких десятков микросекунд. За это время заканчивается процесс модуляции проводимости диода, после чего скорость нарастания прямого тока, а также его установившееся значение определяются напряжением источника питания и сопротивлением внешней цепи (при условии, что прямым напряжением на диоде можно пренебречь из-за его малости).

Отметим, что между нарастающим прямым током в процессе установления проводящего состояния диода и падением напряжения на нем наблюдается емкостный сдвиг по фазе, обусловленный наличием диффузионной емкости С_d Эта емкость определяется как отношение приращения заряда избыточных неосновных носителей, накопленных в р- и n-слоях структуры, к соответствующему приращению прямого напряжения на р-n переходе.

1.5 Низкочастотные параметры диода

Сопротивление диодапредставляет собой простое дифференциальное сопротивление диода, то есть сопротивление диода малому переменному току при постоянном смещении.

Диффузионную емкость обычно связывают с изменением заряда инжектированных носителей при изменении напряжения на диоде. Действительно, инжектированные носители в течение некоторого времени существуют в областях диода, примыкающих к p-n – переходу. При изменении напряжения часть накопленных неосновных носителей может возвратиться в p-n – переход и пройти через него в соседнюю область. Образующийся при этом ток аналогичен емкостному току.

Однако к этому требуются некоторые пояснения и дополнения. Дело в том, что при инжекции области, примыкающие к p-n – переходу, остаются нейтральными, то есть никакой суммарный заряд в них не появляется. Нейтрализация заряда происходит из-за подхода основных носителей в те области, куда произошла инжекция неосновных носителей. Нейтрализация устанавливается за очень малый промежуток времени – порядка времени максвеловской или диэлектрической релаксации (обычно 10^-11 …10^-12 с). Так как концентрация основных носителей относительно велика и необходимое их количество пополняется невыпрямляющим контактом, нейтрализация получается практически полная. Следует заметить, что нейтрализуется не только заряд в среднем по всей области, но и заряд в каждой точке, т.е. выполняется условие локальной электрической нейтральности.

Несмотря на то, что при инжекции примыкающие к p-n – переходу области не заряжаются, диффузионную емкость можно связать с зарядом инжектированных носителей, так как инжектированные неосновные носители и нейтрализующие их основные носители не исчезают. Для сравнения вспомнить, что и обычный конденсатор в целом электрически нейтрален. Но в обычном конденсаторе положительные и отрицательные заряда пространственно разделены (то же самое можно сказать и о p-n – переходе при рассмотрении его барьерной емкости), в то время как при инжекции через p-n – переход и положительный, и отрицательный заряда оказываются в одной и ой же области и пространственно не разделяются, в результате чего не возможно обнаружить область, где проходят токи смещения.

Следовательно, диффузионную емкость можно связать с изменением заряда инжектированных неосновных носителей, но нельзя связать с происхождением тока смещения. В этом существенное физическое отличие диффузионной емкости от барьерной емкости p-n – перехода и от емкости обычного конденсата.

Диффузионную емкость можно представить следующим образом:

(1.5)

Постоянная времени. Если продолжить аналогию полупроводникового диода с конденсатором, то можно выяснит физический смысл постоянной времени C_диф . Для конденсатора постоянная времени показывает, за какое время его заряд уменьшается в e раз, т.е. постоянная времени характеризует время исчезновения заряда конденсатора.

Постоянная времени диода с толстой базой при низкой частоте тоже характеризует время исчезновения заряда. Действительно, - время жизни неосновных носителей – как раз и показывает, в течение какого времени концентрация неосновных носителей измениться в е раз из-за рекомбинации.

Для диода с тонкой базой при низкой частоте постоянная времени равна (1.6)

2. РАСЧЕТ и исследование мощных низкочастотных диодов на основе кремния

2.1 Расчет параметров диода

Проведем расчет и исследования статических и динамических характеристик 4H-SiCp⁺ -п₀ - n ⁺ диодов, рассчитанных на обратное напряжение 6, 10 и 20 кВ и обозначаемых далее как 6-кВ, 10-кВ и 20-кВ диоды. Концентрация примесей в сильно легированных эмиттерных областях составляет ~ 10¹⁹ см⁻³ , уровень легирования и толщина базы n-типа определяются максимальным блокируемым напряжением (см. табл. 1).

Таблица 1 - Параметры структуры 6-кВ, 10-кВ и 20-кВ 4H-SiC р⁺ - n₀ -п⁺ диодов

Концентрация доноров в базе, см−3	Толщина базы, мкм
6-кВ	1·1015	50
10-кВ	3·1014	150
20-кВ	3·1014	200

2.2 Расчет вольтамперных характеристик при малых плотностях тока

В 4H-SiC диодах при малых плотностях тока основную роль играют генерация и рекомбинация носителей в области пространственного заряда (ОПЗ) р- n -перехода и их диффузионный перенос через базу. В диодах практически отсутствуют "избыточные" токи, связанные с различного рода неоднородностями структуры и обусловленные, например, механизмами полевого и термополевого туннелирования. На рис. 2.1 в качестве примера показаны прямые вольтамперные характеристики (ВАХ) 6-кВ диода, измеренные при температурах 297 и 537 K в диапазоне плотностей прямого тока j_пр = 10⁻⁷ −1 А/см² . В указанном интервале плотностей тока ВАХ хорошо аппроксимируются суммой рекомбинационного ( j_рек ) и диффузионного ( j_диф ) токов с учетом омического падения напряжения на базе диода j_пр r_б , где r_б - сопротивление базы):

j_пр = j_рек + j_диф = j_обр exp( qV_pn /2 kT) + j_кб exp( qV_pn / kT) (2.1)

V = V_pn + j_пр r_б .

Обратный ток в исследованных 4H-SiC диодах при комнатной температуре настолько мал, что находится за пределами чувствительности измерительной аппаратуры.

Рисунок 2.1 - Прямые ВАХ 6-кВ диода при низких плотностях тока. Т= 297K: j_обр = 2.3 ∙ 10⁻²⁴ А/см² , j_кб = 1.5 ∙ 10⁻⁴⁵ А/см² , r_б = 7.4∙10⁻² Ом∙см² , T = 537K: j_обр = 1 · 10^-11 А/см² , j_эб = 3∙10⁻²¹ А/см² , r_б = 1.7 · 10^-1 Ом ∙ см² .

Заметный обратный ток появляется лишь при температурах свыше 600 K. На рис. 2.2 показана обратная

ВАХ 6-кВ диода, измеренная при температуре 685 K. Как видно из этого рисунка, j_к ∞( V_бэ + V )^1/2 (V_бэ — контактная разность потенциалов р— n -перехода). Таким образом, обратный ток обусловлен термической генерацией носителей в ОПЗ р— n -перехода.

Рисунок 2.2 - Обратная ВАХ 6-кВ диода при Т = 685 K.

2.3 Модуляция базы при высоких уровнях инжекции

На рис. 2.3 показаны импульсные квазистатические ВАХ 6-кВ, 10-кВ и 20-кВ диодов, измеренные при средних и высоких плотностях прямого тока. Как нетрудно убедиться, в 6-кВ и 10-кВ диодах реализуется достаточно глубокая модуляция базы инжектированными носителями. Так, например, при плотности прямого тока 180 А/см² дифференциальное сопротивление 10-кВ диода r_б = dV/ dj_пр = 1.6 ∙ 10−² Ом ∙ см² , в то время как омическое сопротивление нeмодулированной базы r_б = W/ qμ_п n_о = 0.39 Ом ∙ см² (μ_п = 800см² /Вс, n₀ = 3 ∙ 10¹⁴ см⁻³ ), т.е. в 24 раза больше измеренного дифференциального сопротивления.

Рис. 2.3 - Импульсные квазистатические прямые ВАХ 6-кВ, 10-кВ и 20-кВ диодов. Т = 293 K.

Для 6-кВ диода омическое сопротивление немодулированной базы r_б = 6.5 ∙ 10−² Ом ∙ см² в 16 раз больше, чем r_б = 4. 1 ∙ 10−³ Ом ∙ cм² . Такая ситуация свидетельствует о достаточно больших величинах коэффициента инжекции эмиттера и времени жизни ННЗ в базе диодов.

С целью определения времени жизни ННЗ изучались переходные процессы в диодах: установление прямого падения напряжения при пропускании ступеньки прямого тока, спад послеинжекционной эдс после обрыва тока, восстановление блокирующей способности диодов после их переключения из проводящего состояния в блокирующее [16].

2.4 Время жизни ННЗ: включение диодов и спад послеинжекционной эдс

На рис. 2.4 показана осциллограмма напряжения на 6-кВ диоде при пропускании прямого тока, быстро нарастающего от нуля до 5 A. Реакция диода на ступенькутока имеет „индуктивный" характер, что свидетельствует о накоплении в базе высокой концентрации ННЗ. На зависимости V( t) вначале наблюдается всплеск напряжения, амплитуда которого определяется сопротивлением немодулированной базы, а затем, по мере накопления ННЗ в базе напряжение падает до стационарного значения, определяемого сопротивлением модулированной базы. Время установления стационарного состояния (по порядку величины оно сравнимо с временем жизни ННЗ [12]) составляет около 0,6 мкс.

Рис. 2.4 - Осциллограммы тока и напряжения при включении 6-кВ диода.

Т = 293 K. Пунктиром показан результат расчета V( t)

На линейном участке скорость спада эдс (∆ V/∆ t) обратно пропорциональна времени жизни τ инжектированных в базу ННЗ [19]:

(2.2)

где кТ — тепловая энергия. При комнатной температуре рассчитанная таким способом величина τ составляет 0,6 мкс для 6-кВ диода и 1,55 мкс для 10-кВ и 20-кВ диодов. Принимая подвижность дырок в базе μ_р = 117см² /В ∙ c, подвижность электронов μ_п = 880 см² /В ∙ c, получим, что амбиполярный коэффициент диффузии D_a = 2( kT/ q)[ μ _n μ _P /(μ_п + μ_р )] = 5,3см² /с. Амбиполярная диффузионная длина ННЗ в базе, L_a = (D_a τ)¹ /² , составляет 17,9мкм для 6-кВ диода и 28,7 мкм для 10-кВ и 20-кВ диодов. Такие диффузионные длины действительно могут обеспечивать достаточно глубокую модуляцию базы в случае 6-кВ и 10-кВ диодов (отношение толщины базы к диффузионной длине ННЗ W/ L_a = 2,8 и 5,2 соответственно). Однако для глубокой модуляции 200-мкм базы 20-кВ диода этого явно недостаточно ( W/ L_a = 7.0). Следует однако заметить, что с ростом температуры время жизни ННЗ во всех диодах возрастает в несколько раз, что приводит к уменьшению падения напряжения, несмотря на падение подвижности носителей тока.

2.4 Особенности переходных характеристик диодов с р-базой

Доказано что в отличие от диодов с n-базой, которые демонстрируют довольно „мягкое" восстановление блокирующей способности, диоды с р-базой могут восстанавливаться довольно „жестко". При одних и тех же величинах прямого тока накачки и обратного напряжения максимальный обратный ток в диодах с р-базой существенно больше, и этот ток обрывается очень резко за время меньше одной наносекунды.

Расчетное время обрыва тока в диодах с р-базой оказалось равным 0,5 ± 0,05 нс, тогда как в диодах с n-базой минимальное время обрыва составляло 3 нс. Показано, что главным фактором, определяющим разный характер восстановления, является большая величина отношения подвижностей электронов и дырок в 4H-SiC, b= μ_n /μ_p .

Известно, что скорость „вытягивания" плазмы обратным током значительно выше из прианодной области, чем из прикатодной (в b² раз до и в bраз после восстановления эмиттерных переходов [9]). В карбиде кремния (р = 7,5) этот процесс проявляется даже более ярко, чем в кремнии ( b = 3), и доминирует во всех типах диодов независимо от асимметрии эффективности эмиттеров и вызванной ею начальной неоднородности распределения плазмы в высокоомной базе. В диоде с р-базой область, свободная от плазмы, возникает на аноде и, расширяясь со временем, достигает катода раньше, чем успевает восстановиться переход катодного эмиттера. В результате к моменту начала восстановления ОПЗ неравновесные носители практически полностью выносятся из базы обратным током. В этом случае граница восстанавливающейся ОПЗ будет перемещаться в отсутствие ННЗ, т.е. с насыщенной скоростью.

2.6 Расчет ВАХ при высоких плотностях прямого тока: влияние электронно-дырочного рассеяния

На рис. 2.5 показаны ВАХ 6-кВ диода, измеренные при температурах 293−553 K до плотностей тока j = 10⁴ А/см² . Как видно, при достаточно больших плотностях тока имеет место „инверсия" температурной зависимости ВАХ. Точка инверсии приходится на область плотностей тока 2000−3000 А/см² , что более чем на порядок превышает плотность тока инверсии для аналогичных кремниевых структур. Для объяснения этого результата необходим анализ вклада различных нелинейных эффектов, определяющих вид ВАХ в области больших плотностей тока. К ним относятся эффекты, связанные с высоким уровнем легирования эмиттеров: сужение ширины запрещенной зоны, уменьшение подвижности основных носителей заряда, бимолекулярная и оже-рекомбинация. Кроме того, необходим учет взаимного рассеяния подвижных носителей друг на друге — электронно-дырочного рассеяния (ЭДР). Отметим, что эффекты, обусловленные ЭДР, оказываются чрезвычайно существенными в таких хорошо исследованных материалах, как Ge , Si и GaAs , так как сильно уменьшают подвижность носителей заряда в биполярных приборах при больших плотностях тока.

Для определения параметров ЭДР в 4H-SiC нами был предложен метод, основанный на анализе ВАХ диодных структур в области больших плотностей тока [2]. Составляющая падения напряжения на базе V_eh , обусловленная ЭДР, обычно записывается в виде

(2.3)

где μ_np = Gp₀ / p — подвижность, обусловленная ЭДР. Анализ экспериментальных ВАХ диодов показал, что при Т = 293 Kконстанта Gp_o , определяющая подвижность μ_np равна 5.8∙ 10¹⁹ В⁻¹ см⁻¹ с⁻¹ , а величина qGp₀ , определяющая вклад ЭДР в ВАХ, — 9.3 Ом⁻¹ см⁻¹ . Отметим, что найденные значения параметров ЭДР в SiC оказываются примерно в 2 раза меньшими, чем в Si, в 4 раза меньшими, чем в Ge, и в 60 раз меньшими, чем в GaAs. Это означает, что влияние ЭДР в SiC оказывается в соответствующее число раз более эффективным, чем в Si, Ge и GaAs.

Рис. 2.5 - Прямые ВАХ 6-кВ диодов. Точки — эксперимент, сплошные линии — расчет с учетом ЭДР.

2.7 М етоды производства диодов

Кремниевые диоды обычно изготовляются из кремния n-типа со сравнительно большим удельным сопротивлением. К пластинке кремния приваривают проволочку из вольфрама, покрытого алюминием. Алюминий является для кремния акцептором. Полученная область кремния р-типа работает в качестве эмиттера.

Диоды изготовляются главным образом методами сплавления (вплавления) или диффузии (рис. 2.6). В пластинку кремния n-типа вплавляют при температуре около 500 °С каплю алюминия, которая, сплавляясь с кремнием, образует слой кремния р-типа. Область с электропроводностью р-типа имеет более высокую концентрацию примеси, нежели основная пластинка сравнительно высокоомного кремния, и поэтому является эмиттером. К основной пластинке кремния и к алюминию припаивают выводные проволочки, обычно из никеля. Если за исходный материал взят высокоомный кремния р-типа, то в него вплавляют сурьму и тогда получается эмиттерная область n-типа.

Следует отметить, что сплавным методом получают так называемые резкие, или ступенчатые, n-р-nереходы, в которых толщина области изменения концентрации примесей значительно меньше толщины области объемных зарядов в переходе.

Рисунок 2.6. - Принцип устройства плоскостных кремниевых диодов, изготовленных сплавным (а) и диффузионным (б) методом

Диффузионный метод изготовления n-р-nерехода основан на том, что атомы примеси диффундируют в основной полупроводник. Примесное вещество при этом обычно находится в газообразном состоянии. Для того чтобы диффузия была интенсивной, основной полупроводник нагревают до более высокой температуры, чем при методе сплавления. Например, пластинку кремния n-типа нагревают до 900 °С и помещают в пары алюминия. Тогда на поверхности пластинки образуется слой кремния р-типа. Изменяя длительность диффузии, можно довольно точно получать слой нужной толщины. После охлаждения его удаляют путем травления со всех частей пластинки, кроме одной грани. Диффузионный слой играет роль эмиттера. От него и от основной пластинки делают выводы. При диффузионном методе атомы примеси проникают на относительно большую глубину в основной полупроводник, и поэтому n-р-nереход получается плавным, т. е. в нем толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной ООЗ.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Расширилась область применения силовых электронных устройств в сфере бытовой электроники (регуляторы напряжения и др.).

Благодаря интенсивному развитию электроники, начиналось создание нового поколения изделий' силовой электроники. Базой для него явились разработка и освоение промышленностью новых типов силовых полупроводниковых приборов: запираемых тиристоров, биполярных транзисторов, МОN-транзисторов и др. Одновременно существенно повысились быстродействие полупроводниковых приборов, значения предельных параметров диодов и тиристоров, развились интегральные и гибридные технологии изготовления полупроводниковых приборов различных типов, начала широко внедряться микропроцессорная техника для управления и контроля преобразовательными устройствами.

Следует отметить, что использование полностью управляемых быстродействующих полупроводниковых приборов в традиционных схемах существенно расширяет их возможности в обеспечении новых режимов работы и, следовательно, новых функциональных свойств изделий силовой электронной техники.

ВЫВОДЫ

В данной курсовой работе:

- рассмотрена классификация полупроводниковых диодов;

- рассмотрен силовой полупроводниковый выпрямительный диод на основе кремния;

- рассчитаны параметры диода

- изучены методы производства мощных низкочастотных диодов

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Управляемые полупроводниковые вентили: Пер. с англ./Ф. Джентри, Ф. Гутцвиллер, Н. Голоньяк, Э. фон Застров. М.: Мир, 1967. – 356 с.

2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. М.: Мир, 1984. - 368 с.

3. Евсеев Ю. А., Дерменжи П. Г. Силовые полупроводниковые приборы: Учебник для техникумов. М.: Энергоиздат, 1981. - 298 с.

4. Силовые полупроводниковые приборы/В. Е. Челноков, Ю. В. Жиляев, Н. А. Соболев и др. // Силовая преобразовательная техника (Итоги науки и техники). М.: ВИНИТИ, 1986. Т. 4. С. 1-108.

5. Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов/В. П. Григоренко, П. Г. Дерменжи, В. А. Кузьмин, Т. Т. Мнацаканов. М.: Энергоатомиздат, 1988. - 315 с.

6. Расчет силовых полупроводниковых приборов/П. Г. Дерменжи, В. А. Кузьмин, Н. Н. Крюкова и др. М.: Энергия, 1980. - 242 с.

7. Блихер А. Физика тиристоров: Пер. с англ./Под ред. И. В. Грехова. Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1981. - 315 с.

8. Бениш Ф. Отрицательные сопротивления в электронных схемах. М.: Сов. радио, 1975. - 196 с.

9. Челноков В. Е., Евсеев Ю. А. Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973. - 298 с.

10. Ніконова З.А., Небеснюк О.Ю. Твердотіла електроніка. Конспект лекцій для студентів напрямку «Електроніка» ЗДІА/ Запоріжжя: Видавництво ЗДІА, 2002. – 99с.

11. Твердотіла електроніка. Навчальний посібник до курсового проекту для студентів ЗДІА спеціальності «Фізична та біомедична електроніка» денної та заочної форм навчання /Укл: З.А. Ніконова, О.Ю. Небеснюк,, М.О. Літвіненко, Г.А. Слюсаревська. Запоріжжя, 2005. – 40с.

12. Пасынков В. В., Чиркин Л. К., Шинков А. Д. Полупроводниковые приборы. – М.: Высшая школа, 1981. – 431 с.

13. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Высшая школа, 1983г. – 384 с.

14. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. – М.: Энергоатомиздат, 1990г. – 376 с.

15. Жеребцов И.П. Основы электроники. – Энергоатомиздат, Ленинградское отд-ние, 1989г. – 352 с.

16. Батушев В. А. Электронные приборы. – М. , “Высшая школа” 1980. – 383 с.